Безиндуктивные резисторы высокой мощности
Томск
Технические характеристики:
Сопротивление, Ом 0,1…10
Точность изготовления сопротивления, % 10
Рассеиваемая мощность резистора на основании, Вт 100
Точность значения сопротивления, % 0,1
Габариты основания, мм 22 × 13 × 3
Габариты кристалла, мм 12 × 12 × 0,3